0
ลด 10%
ทฤษฎี วงจรอิเล็กทรอนิกส์ 1 วงจรอิเล็กทรอนิกส์และการออกแบบ
หนังสือ153.00 บาท
เนื้อหาโดยสังเขป

หนังสือเล่มนี้มีเนื้อหาประกอบด้วยเรื่องคุณสมบัติทาางไฟฟ้าโดยไดโอด การใช้งานของไดโอด การออกแบบวงจรจ่ายกำลัง ไบทรานซีสเตอร์และการออกแบบ
ไบอัส FET และการออกแบบ วงจรขยายทรานซีสเตอร์สำหรับสัญญาณขนาดเล็ก วงจรขยายสัญญาณหลายภาค และวงจรขยายกำลัง แต่ละเรื่องมีตัวอย่างการ
คำนาณเพื่อให้เกิดความเข้าใจมากยิ่งขึ้น ตอนท้ายของแต่ละบทเรียนจะมีแบบฝึกหัดใช้ทดสอบความเข้าใจของการเรียนในแต่ละบทเรียน

สารบัญ

สารบัญ
บทที่ 1 คุณสมบัติทางไฟฟ้าของไดโอด
1.1 คุณสมบัติของไดโอด
1.2 ไดโอดทางอุดมคติ
1.3 ไดโอดทางอุดมคติคำนึงถึงค่าแบตเตอรี่ตรงรอยต่อ
1.4 ไดโอดทำงานจริง
1.5 การวิเคราะห์ค่าทางไฟฟ้าของไดโอดทำงานจริง
1.6 ผลของอุณหภูมิต่อตัวไดโอด
บทสรุป
แบบฝึกหัด

บทที่ 2 การใช้งานของไดโอด
2.1 แหล่งจ่ายกำลังไฟตรง
2.2 เร็กติไฟเออร์ชนิดครึ่งคลื่น
2.3 เร็กติไฟเออร์ชนิดเต็มคลื่น
2.4 บริดจ์เร็กติไฟเออร์ชนิดเต็มคลื่น
2.5 ไดโอดตัดสัญญาณ
2.6 ซีเนอร์ไดโอดตัดสัญญาณ
2.7 ไดโอดเลื่อนระดับสัญญาณ
2.8 วงจรทวีแรงดัน
บทสรุป
แบบฝึกหัด

บทที่ 3 การออกแบบวงจรจ่ายกำลัง
3.1 การฟิลเตอร์
3.2 การฟิลเตอร์แบบใช้ตัวเก็บประจุ
3.3 C ฟิลเตอร์
3.4 RC ฟิลเตอร์
3.5 L ฟิลเตอร์
3.6 LC ฟิลเตอร์
บทสรุป
แบบฝึกหัด

บทที่ 4 ไบอัสทรานซิสเตอร์และการออกแบบ
4.1 การทำงานของทรานซิสเตอร์
4.2 ความสัมพันธ์ระหว่างเบต้าและแอลฟา
4.3 กราฟคุณสมบัติของทรานซิสเตอร์
4.4 เส้นโหลดไฟกระแสตรงและจุดทำงาน
4.5 วงจรไบอัสไฟกระแสตรง
4.6 วงจงไบอัสแบบคงที่
4.7 วงจรไบอัสแบบรักษาระดับที่ขาอิมิตเตอร์
4.8 วงจรไบอัสแบบแบ่งแรงดัน
4.9 วงจรไบอัสแบบแรงดันป้อนกลับ
4.10 การออกแบบวงจรไบอัสไฟกระแสตรงของทรานซิสเตอร์
4.11 การออกแบบวงจรไบอัสแบบคงที่
4.12 การออกแบบวงจรไบอัสแบบรักษาระดับที่ขาอิมิตเตอร์
4.13 การออกแบบวงจรไบอัสแบบแบ่งแรงดัน
บทสรุป
แบบฝึกหัด

บทที่ 5 ไบอัส FET และการออกแบบ
5.1 การทำงานของ JFET
5.2 กราฟคุณสมบัติของ JFET
5.3 กราฟคุณสมบัติการโอนย้ายของ JFET
5.4 การวิเคราะห์คุณสมบัติการโอนย้ายต้วยวิธีลัดของ JFET
5.5 วงจรไบอัสคงที่ของ JFET
5.6 วงจรไบอัสคงที่ของ JFET วิเคราะห์โดยกราฟ
5.7 วงจรไบอัสช่วยตัวเองของ JFET
5.8 วงจรไบอัสช่วยตัวเองของ JFET วิเคราะห์โดยกราฟ
5.9 วงจรไบอัสแบ่งแรงดันของ JFET
5.10 วงจรไบอัสแบ่งแรงดันของ JFET วิเคราะห์โดยกราฟ
5.11 การทำงานของ MOSFET
5.12 กราฟคุณสมบัติของ D-MOSFET
5.13 กราฟคุณสมบัติของ E-MOSFET
5.14 วงจรไบอัสของ D-MOSFET
5.15 วงจรไบอัสของ E-MOSFET 1
5.16 การออกแบบวงจรไบอัสไฟกระแสตรงของ FET
บทสรุป
แบบฝึกหัด

บทที่ 6 วงจรขยายทรานซิสเตอร์สำหรับสัญญาณขนาดเล็ก
6.1 วงจรสมมูลของทรานซิสเตอร์
6.2 ค่าพารามิเตอร์ของวงจร
6.3 วงจรสมมูลของ re
6.4 วงจรสมมูลของไฮบริด
6.5 การเทียบค่าวงจรสมมูลของ re และของไฮบริด
6.6 วงจรขยายแบบไบอัสคงที่
6.7 วงจรขยายแบบไบอัสแบ่งแรงดัน
6.8 วงจรขยายแบบอิมิตเตอร์ร่วมเพิ่มค่า RE
6.9 วงจรขยายแบบเบสร่วม
บทสรุป
แบบฝึกหัด

บทที่ 7 วงจรขยาย FET สำหรับสัญญาณขนาดเล็ก
7.1 ทรานส์คอนดักแตนซ์
7.2 ความต้านทานเอาต์พุตภายในตัว FET
7.3 วงจรสมมูลไฟสลับของ FET
7.4 วงจรขยาย FET ในลักษณะไบอัสแบบต่างๆ
7.5 วงจรขยาย FET ที่เกี่ยวข้องกับความต้านทานซอร์ส
7.6 อินพุตอิมพีแดนซ์และเอาต์พุตอิมพีแดนซ์
7.7 วงจรขยาย FET แบบไบอัสแรงดันป้อนกลับ
บทสรุป
แบบฝึกหัด

บทที่ 8 วงจรขยายสัญญาณหลายภาค8.1 การต่อวงจรแบบคาสเคด
8.2 วงจรขยายคาสเคดแบบทรานซิสเตอร์
8.3 วงจรขยายคาสเคดแบบ FET
8.4 วงจรขยายคาสเคดแบบ FET ผสมทรานซิสเตอร์
8.5 วงจรขยายดาร์ลิงตัน
8.6 วงจรขยายความแตกต่าง
บทสรุป
แบบฝึกหัด

บทที่ 9 วงจรขยายกำลัง
9.1 ประสิทธิภาพวงจรขยาย
9.2 คลาสวงจรขยาย
9.3 วงจรขยายคลาส A
9.4 วงจรขยายคลาส B
9.5 วงจรขยายคลาส AB
9.6 วงจรขยายคลาส C
บทสรุป
แบบฝึกหัด
ภาคผนวก
เฉลยแบบฝึกหัด
บรรณานุกรม

รายละเอียดหนังสือ
ISBN: 9745342572 (-ไม่ระบุ) 388 หน้า
ขนาด: 185 x 256 x 18 มม.
น้ำหนัก: 485 กรัม
สำนักพิมพ์ซีเอ็ดยูเคชั่น, บมจ.
เดือนปีที่พิมพ์: 2002
สินค้าที่ลูกค้ามักซื้อด้วยกัน